" 碳化硅半导体（SiC）是继硅半导体后发展起来的新一代功率半导体，具有耐高压、耐高温、工作频率高等显著特点，我国“十二五”、“十三五”及“十四五”规划均将碳化硅半导体纳入重点支持领域。随着国家“新基建”，绿色低碳发展，以及全面推行数字经济建设等战略的实施，碳化硅半导体将在5G通讯、绿色电力、新能源汽车、特高压、轨道交通、大数据中心等领域发挥重要作用，以碳化硅为代表的宽禁带半导体是我国半导体产业升级发展的重要基础，引领着新一轮的产业革命。 本项目中的高质量半绝缘碳化硅衬底材料具备高电阻的同时还可以承受更高的工作频率，以该衬底材料为基础制备的射频功率器件具有高功率密度、强可靠性等优势，完美解决传统的Si-LDMOS 技术无法适用于5G通讯及未来通讯的需求问题，突破了技术封锁，实现了国产替代。"